特許
J-GLOBAL ID：200903097756751025
半導体装置の特性評価装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-139504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333098
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】パワ-半導体素子とプロ-ブ電極との相対位置およびウエハ-の平坦度の差に起因する電極電位の測定誤差を排除し、特性評価精度を向上する。【構成】ウエハ-10内に複数個作り込まれたパワ-半導体素子9の特性を、ウエハ-を切断せずに評価するものであって、ウエハ-支持台11がフォ-ス12I,センス12P一対のプロ-ブ電極組12をパワ-半導体素子9の数に対応して備え、各プロ-ブ電極組のフォ-スおよびセンスがアライメント機構17に連動してオンオフ制御される選択スイッチ群15を介して測定装置18に接続されるとともに、測定針装置14がフォ-ス針14I,センス針14P一対の測定針組14A,14Bを備えてなるものとする。
請求項（抜粋）：
ウエハ-内に複数個作り込まれたパワ-半導体素子の特性を、ウェ-ハを切断せずに評価するものであって、ウエハ-を支持しアライメント機構により位置調整されるウエハ-支持台と、前記アライメント機構により位置決めされた前記パワ-半導体素子の電極部に導電接触する測定針装置と、この測定針装置に導電接続された測定装置とを含むものにおいて、ウエハ-支持台がフォ-ス,センス一対のプロ-ブ電極組を前記パワ-半導体素子数に対応して備え、各プロ-ブ電極組のフォ-スおよびセンスが前記アライメント機構に連動してオンオフ制御される選択スイッチを介して前記測定装置に接続されてなることを特徴とする半導体装置の特性評価装置。
IPC (4件)：
G01R 31/26
, G01R 1/073
, H01L 21/66
, H01L 21/68
