特許
J-GLOBAL ID：200903097758053422
半導体装置及び表示装置駆動回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049155
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263703
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【構成】 絶縁基板1上に形成された多結晶半導体膜2、多結晶半導体膜2上に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極7からなり、多結晶半導体膜2は、ゲート電極7下においてチャネル領域5を有し、チャネル領域5の両側にソース3及びドレイン4を有し、チャネル領域7から引き出された引出電極6を有しており、引出電極6は、チャネル領域7と接続している半導体装置。【効果】 半導体装置において、同じゲート電圧とドレイン電圧とを加えた状態で、引出し電極6に加える電圧を変化させることにより、半導体装置のドレイン電流-電圧特性を種々変化させることができる。従って、半導体装置におけるチャネル領域5の結晶粒径又は結晶粒の個数等のばらつきに起因する特性変化を防止し、一定の特性を有する薄膜トランジスタを得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された多結晶半導体膜、該多結晶半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極からなり、前記多結晶半導体膜は、前記ゲート電極下においてチャネル領域を有し、該チャネル領域の両側にソース及びドレインを有し、さらに、前記チャネル領域から引き出された引出電極を有しており、該引出電極は、前記チャネル領域と接続していることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 311 H
, H01L 29/78 311 A
