特許
J-GLOBAL ID:200903097760237700

配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-241483
公開番号(公開出願番号):特開2001-068828
出願日: 1999年08月27日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 優れた配線パターンを形成することができる配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 ベース基板3の表側の表面全体に、Tiスパッタ層11及びCuスパッタ層13を形成する。次に、Cuスパッタ層13の表面全体に、レジストパターン25を形成する。次に、第1電解メッキにより、Cuスパッタ層13上にCuメッキ層15及びNiメッキ層17を形成する。次に、レジストパターン25を溶解・除去する。次に、エッチングにより、スパッタ層21の一部を除去する。次に、第2電解メッキにより、配線パターン7の基礎部分7aの周囲(上面及び側面)を覆うようにAuメッキ層19を形成する。
請求項(抜粋):
基板の表側の表面と基板の裏側の表面と、及び/又は基板の表側の表面と基板の側面とを導通する内部導通部を有するベース基板を用い、該ベース基板の表面に配線パターンを形成する配線基板の製造方法であって、前記ベース基板の表側の表面に、導電性金属からなる下地層を形成して、前記下地層と前記内部導通部とを電気的に接続する工程と、前記下地層の上に、前記配線パターンの形成箇所以外を覆うように、非導電材料からなるレジストパターンを形成する工程と、前記下地層に対して前記内部導通部を介して電圧を印加して、第1電解メッキを行うことにより、前記下地層の上に、前記レジストパターンの形成箇所以外を覆うように、前記配線パターンの基礎部分となる第1電解メッキ層を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記レジストパターンの除去により露出した前記下地層の露出部分を、エッチングにより除去し、前記配線パターンの基礎部分となる基礎下地層を残す工程と、前記基礎下地層及び前記第1電解メッキ層からなる配線パターンの基礎部分に対して前記内部導通部を介して電圧を印加して、第2電解メッキを行うことにより、前記配線パターンの基礎部分の周囲を覆うように、第2電解メッキ層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (4件):
H05K 3/18 ,  C25D 7/00 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09
FI (4件):
H05K 3/18 G ,  C25D 7/00 J ,  H05K 1/09 C ,  H01L 23/12 Q
Fターム (46件):
4E351AA03 ,  4E351AA07 ,  4E351BB32 ,  4E351BB33 ,  4E351BB35 ,  4E351CC03 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351DD06 ,  4E351DD11 ,  4E351DD20 ,  4E351GG20 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024DA07 ,  4K024DA10 ,  4K024DB09 ,  4K024DB10 ,  4K024FA05 ,  4K024GA16 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB38 ,  5E343BB39 ,  5E343BB44 ,  5E343BB47 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343DD25 ,  5E343DD32 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343ER18 ,  5E343GG11

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