特許
J-GLOBAL ID：200903097762193344
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224703
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048086
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタのZTC点におけるゲート電圧VG (ZTC)を、基板電位に温度依存性をもたせることにより、大きくなる方向に変動させること。【構成】 正電源4と直列接続された4個のダイオード1との間に抵抗2を接続し、ダイオード1と接地5との間に抵抗3を接続する。そして、ダイオード1と抵抗3との間の電圧をnチャンネルMOSFET10の基板電位VBSとする。直列接続された4個のダイオード1の順方向電圧の温度依存性は約-8mV/°Cである。従って、上記基板電位VBSは基板の温度上昇に伴って上昇して、閾値電圧VT の温度変化率が大きくなる。その結果、絶縁ゲート型電界効果トランジスタのZTC点はゲート電圧の大きい方向へ移動する。これにより、温度特性に優れ、且つ、ZTC点のゲート電圧が大きく実用的な絶縁ゲート型電界効果トランジスタとなる。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、温度依存性素子を用いたバイアス回路を付加することにより、基板の温度変動に伴って基板電位を変化させ、ZTC点の位置を制御することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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