特許

J-GLOBAL ID：200903097763022268

放射放出する半導体構成素子および該半導体構成素子の製造方法

発明者： ヨハネス バウル ,  ドミニク アイゼルト ,  ミヒャエル フェーラー ,  ベルトルト ハーン ,  フォルカー ヘールレ
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-540498
公開番号（公開出願番号）：特表2006-501656
出願日： 2003年09月23日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

本発明は、放射透過性の基板(1)が設けられており、該基板(1)の下面に放射生成層(2)が配置されており、該基板(1)は傾斜側面(3)を有する形式の放射放出半導体構成素子に関する。ここでは、基板(1)の屈折率は放射生成層の屈折率より大きく、この屈折率差から、フォトンが放射生成層から直接入力結合されない、入射されない基板領域(4)が得られる。該基板(1)の入射されない領域に、実質的に垂直な側面(5)が設けられており、このような半導体構成素子の利点は、より良好な面積歩留まりでウェハから製造できるという利点を有する。

請求項（抜粋）：

放射放出する半導体構成素子であって、 放射透過性の基板(1)が設けられており、 該基板(1)の下面には、放射生成層(2)が配置されており、 該基板(1)は、傾斜された側面(3)を有しており、 該基板の屈折率(n1)は、該放射生成層(2)の屈折率(n2)より大きい形式のものにおいて、 前記屈折率の差から、該放射生成層(2)からフォトンが直接入力結合されない、入射されない基板領域(4)が得られ、 該基板(1)は前記入射されない領域(4)において、実質的に垂直な側面(5)を有することを特徴とする半導体構成素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA41 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スーパールミネッセントダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-085660   出願人：株式会社リコー
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236483   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社