特許

J-GLOBAL ID：200903097765511460

フォトマスク及び露光方法

発明者： 菅原 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346102
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186627
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】 密なパターンと疎なパターンの両方を、精度良く等しく、しかも微細な寸法にて形成することが可能なフォトマスク及び露光方法を提供する。【解決手段】 半遮光領域と光透過領域とによって所定のパターンが形成されたフォトマスクにおいて、上記パターンが密なパターンと疎なパターンとを有するようなときに、疎なパターンが形成されている部分では、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが略等しくなるようにし、密なパターンが形成されている部分では、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が150度よりも小さくなるようにする。なお、本発明は、ロジック回路とメモリ回路が混載された半導体装置を生産する際に特に好適である。

請求項（抜粋）：

半遮光領域と光透過領域とによって所定のパターンが形成され、少なくとも一部の領域において、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が150度よりも小さいことを特徴とするフォトマスク。