特許

J-GLOBAL ID：200903097766035743

高周波半導体装置及びその装置を用いた無線装置

発明者： ▲高▼橋 和晃 ,  藤田 卓 ,  小倉 洋
出願人/特許権者： 松下通信工業株式会社
代理人 (1件)： 青木 輝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177013
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 フリップチップ実装した高周波回路チップの特性劣化を防止すると共に、低損失を実現できる高周波半導体装置及びその装置を用いた無線装置を提供する。【解決手段】シリコン基板11上に誘電体薄膜層13を積層してなる実装基板10を設ける。前記実装基板10のシリコン基板11にエッチング孔部18を設ける。前記シリコン基板11に接する誘電体薄膜層13に接地用導体層12を形成する。前記誘電体薄膜層13の上面にマイクロストリップ線路部(伝送線路部)14を形成する。前記マイクロストリップ線路部14上にバンプ16を介してフリップチップ実装し、エッチング孔部18に対応する位置に高周波回路チップ15を配置した。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板上に誘電体薄膜層を積層してなる実装基板と、前記実装基板の前記第1の半導体基板に形成されたエッチング孔部と、前記第1の半導体基板に接する前記誘電体薄膜層に形成された接地用導体層と、前記誘電体薄膜層の上面に形成された伝送線路部と、前記伝送線路部上にバンプを介してフリップチップ実装し、前記エッチング孔部に対応する位置に配置された高周波回路チップと、を備えてなる高周波半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 J

Fターム (41件)：

5E336AA04 ,  5E336AA08 ,  5E336AA12 ,  5E336AA16 ,  5E336BB01 ,  5E336BB02 ,  5E336BB03 ,  5E336BB15 ,  5E336BB17 ,  5E336BC02 ,  5E336BC12 ,  5E336BC14 ,  5E336BC26 ,  5E336BC34 ,  5E336CC34 ,  5E336CC58 ,  5E336DD22 ,  5E336DD28 ,  5E336DD33 ,  5E336EE01 ,  5E336GG03 ,  5E336GG11 ,  5E346AA02 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA51 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346CC10 ,  5E346CC16 ,  5E346CC31 ,  5E346FF01 ,  5E346FF22 ,  5E346GG22 ,  5E346HH02 ,  5E346HH04 ,  5E346HH06 ,  5E346HH17 ,  5E346HH18