特許

J-GLOBAL ID：200903097770242346

半導体ウエハ,及びその製造方法

発明者： 船場 真司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039951
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236442
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの製造に用いる劈開性のよい単結晶化合物半導体ウエハに関し、半導体レーザの製造過程で発生するクラックによるウエハ割れを低減することのできる半導体ウエハ,及びその製造方法を提供する。【構成】 単結晶半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に、レーザビーム等による結晶の変性処理を施すことにより、該側面部に非単結晶材料部を形成するようにしたことを特徴とする半導体ウエハの製造方法、及びこれにより製造される半導体ウエハ。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの製造方法において、劈開性の良い単結晶化合物よりなる半導体ウエハの主面と側面とにより形成される角部分を含むウエハ側面部に、非単結晶材料部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  C30B 33/04 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  C30B 33/04 ,  H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 Z