特許
J-GLOBAL ID：200903097770545357
配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078346
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020994
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 接続孔に金属系材料を形成して配線を形成する場合について、表面酸化による埋め込み性能の低下やコンタクト抵抗の増大を防止した配線形成方法を提供する。【構成】 ?@接続孔1に金属系材料2を形成し、更に配線4を形成する配線形成方法において、配線形成前に水素による処理3を行う配線形成方法。?A接続孔1に金属系材料2を形成し、水素による処理3を行い、更に配線を形成する工程を、真空中にて連続的に行う配線形成方法。
請求項（抜粋）：
接続孔に金属系材料を形成し、更に配線を形成する配線形成方法において、配線形成前に水素による処理を行うことを特徴とする配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
