特許

J-GLOBAL ID：200903097772246500

面型半導体発光装置及びその製造方法

発明者： 大坪 孝二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058291
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275905
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 面型半導体発光装置及びその製造方法に関し、共振器を挟む半導体多層膜反射鏡の光反射率を高く維持し且つ半導体多層膜反射鏡を介さずに電流を注入でき、半導体多層膜反射鏡の抵抗値と無関係に電流の供給を可能にする。【構成】 活性層26を挟み表裏に振り分けてn側のクラッド兼電極コンタクト層25とp側のクラッド兼電極コンタクト層27が形成され、活性層26とn側のクラッド兼電極コンタクト層25とp側のクラッド兼電極コンタクト層27を含む共振器の表裏に振り分けられ且つ表面側に在る何れかがメサ状をなすn側の半導体多層膜反射鏡22とp側の半導体多層膜反射鏡28が形成され、表面側に在る何れかがメサ状をなすn側の半導体多層膜反射鏡22かp側の半導体多層膜反射鏡28から側方に延び出たn側のクラッド兼電極コンタクト層25とp側のクラッド兼電極コンタクト層27に対応しn側電極31とp側電極30が形成してある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に於いて活性層を中心にして表裏両側に振り分けて形成された一導電型半導体層及び反対導電型半導体層と、前記活性層及び前記一導電型半導体層及び前記反対導電型半導体層が含まれる共振器を挟んで表裏両側に振り分けて形成され且つ表面側に在る何れかがメサ状をなす一導電型側の半導体多層膜反射鏡並びに反対導電型側の半導体多層膜反射鏡と、前記表面側に在る何れかがメサ状をなす一導電型側の半導体多層膜反射鏡或いは反対導電型側の半導体多層膜反射鏡から側方に延び出た前記一導電型半導体層及び前記反対導電型半導体層に対応して形成された一導電型側電極及び反対導電型側電極とを備えてなることを特徴とする面型半導体発光装置。