特許
J-GLOBAL ID：200903097774961355
表面処理方法および表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264509
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】ゲートエッチングにおいて発生するチャージアップダメージや局所異常エッチング(ノッチング)を抑制する。【構成】バイアスとして、パルス状の正電圧を印加する。さらに、基板に印加する静電吸着電圧として、正電圧を印加すればさらに効果的である。【効果】イオンだけでなく電子も微細パターンの底面まで入射することによって、微細パターン底面の正のチャージアップが解消され、チャージアップダメージやノッチングが抑制される。
請求項（抜粋）：
減圧処理室内の試料台に載置した被処理物を電気的吸引力によって保持し、前記被処理物にプラズマを供給すると共にバイアス電圧を印加することにより試料をエッチングするドライエッチング方法において、バイアスとして正のパルス波形の電圧を印加することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
