特許

J-GLOBAL ID：200903097775432283

MOS型半導体装置

発明者： 青木 正明 ,  吉村 俊之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242953
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097435
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】従来のMOSトランジスタの短チャネル限界を突破し、より短チャネルのトランジスタ動作を実現すること。【構成】本発明のMOSトランジスタは、図1に示すようにソース領域12およびドレイン領域13とSi基板11の間に、直接トンネル電流が流れるほどに薄い酸化膜16を形成したものである。すなわち厚さ5nm以下の酸化膜を形成したものである。【効果】これによりソース、ドレイン接合における基板側への空乏層の伸びを従来よりもずっと抑えることができ、従って、従来よりもずっと短チャネルのトランジスタが実現できた。すなわち従来デバイスの短チャネル限界が約0.02μmであったのに対し、本発明デバイスの短チャネル限界は約0.007μmに短縮した。1チップ当りのトランジスタ集積度も大幅に増加しうる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1導電型表面領域に形成された第2導電型のソース、ドレイン領域と該第1導電型領域の間に、直接トンネル電流が流れうるほどに薄い絶縁膜を有することを特徴とするMOS型半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-154668
  
• 特開昭63-312679
  
• 特開昭63-100776