特許
J-GLOBAL ID：200903097781750653
単結晶ダイヤモンドの製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043325
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001392
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法および熱フィラメント法のいずれの方法によっても、安定に大面積の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、およびその製造装置を提供する。【解決手段】 初期の単結晶ダイヤモンド基材50として、その主表面および側面が低指数面からなる平板を用い、その単結晶ダイヤモンド基材50に単結晶ダイヤモンドをホモエピタキシャル気相成長させることによって、大面積の単結晶ダイヤモンドを形成する。単結晶ダイヤモンド基材50の保持手段としては、炭素との化合物を形成し難い材質からなるか、または、そのような材料を被覆したものを用いる。この製造方法および装置により、基材表面に安定して単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、その結果、大面積の良質な単結晶ダイヤモンドをより短時間で形成することができる。
請求項（抜粋）：
単結晶ダイヤモンド基材上に単結晶ダイヤモンドを気相から合成する単結晶ダイヤモンドの製造方法であって、前記単結晶ダイヤモンド基材として、その主表面および側面が低指数面からなるものを用いる、単結晶ダイヤモンドの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 25/02
, H01L 21/205
C30B 29/04 P
, C30B 25/02 Z
, H01L 21/205
