特許
J-GLOBAL ID：200903097783387548
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041373
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213409
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 ゲートフィンガー長をのばしてゲート幅を大きくした時にもチャネル温度の上昇をおさえることができる半導体装置を提供する。【構成】 動作層(1)に素子分離領域が形成され、そしてゲート電極(2)、ソース電極(3)、ドレイン電極(4)が設けられた構造で、単位FETが並列に複数個並べられた櫛形ゲート構造素子において、動作層領域(1)をゲート電極(2)フィンガーと垂直な方向に形成された素子分離領域によって分割することにより、熱の拡散経路を広げることが可能となり、熱抵抗が低減され、チャネル温度の上昇がおさえられる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極が並列に多数本並べられた構造をもつ半導体装置において、動作層領域が、ゲート電極に垂直な方向に形成された素子分離領域によって複数個に分離されている構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
