特許
J-GLOBAL ID：200903097783581352
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079936
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291297
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【構成】固体撮像装置の層間絶縁膜15の厚さを耐圧的に問題を生じない程度に確保し、更に光遮蔽膜17を形成する物質として一部、全体、或いは層間絶縁膜15の下端にTiN膜101を用いる。【効果】本発明によれば、層間絶縁膜厚の調節により光遮蔽膜端部から斜入射する光についての抑制を行い、更にTiN膜により、斜入射してきた光による多重反射の発生を抑制することが可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上に形成された拡散層からなり、入射光により発生した電荷を蓄積するフォトダイオ-ド部と、前記フォトダイオ-ド部に近接して前記基板上に形成された前記フォトダイオ-ド部とは異なる拡散層と、この拡散層の上部に絶縁膜を介して形成された電荷転送電極とから構成され、前記フォトダイオ-ド部からの電荷を転送する電荷転送部と、前記フォトダイオ-ド部以外の領域を覆うように半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、多層構造を持ち、少なくともその最下層はTiN膜から構成されている光遮蔽膜とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/148
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 31/10
H01L 27/14 B
, H01L 23/30 E
, H01L 31/10 A
