特許
J-GLOBAL ID:200903097784046264

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-144041
公開番号(公開出願番号):特開平10-335098
出願日: 1997年06月02日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 プラズマ処理装置の改善に関する。【解決手段】 チャンバー1と、その内に配置されて半導体ウエハ9が搭載される第1の電極2と、第1の電極2に対向して配置された第2の電極3と、第1の電極2に第1の周波数の高周波電力を供給する第1の高周波電源4と、第2の電極3に第2の周波数の高周波電力を供給する第2の高周波電源7と、チャンバー内にガスを供給するガス供給手段9Bと、チャンバー1内を排気する排気ポンプ9Aとを有するプラズマ処理装置において、第2の電極3の表面がその表面積を大きくするように加工されていること。
請求項(抜粋):
チャンバーと、前記チャンバー内に配置されて半導体ウエハが搭載される第1の電極と、前記第1の電極に対向して配置された第2の電極と、前記第1の電極に第1の周波数の高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記第2の電極に第2の周波数の高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給手段と、前記チャンバー内を排気する排気ポンプとを有するプラズマ処理装置において、前記第2の電極の表面がその表面積を大きくするように加工されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件):
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 16/50
FI (5件):
H05H 1/46 M ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 B

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