特許
J-GLOBAL ID：200903097784635286
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275740
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114561
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【構成】シリコン基板2上にシリコン酸化層4を形成し、シリコン酸化層4にその口壁を内側に傾斜させて開口14を設ける。そして開口14からシリコン種結晶層16を形成する。次に種結晶層16の表面に開口14に対応する部分16aを除いて窒化膜18を形成し、窒化膜18が形成されなかった部分16aから種結晶層16の酸化を行う。このとき種結晶層16は、開口14上部のみが選択的に酸化され、シリコン基板2から絶縁される。その後、種結晶層16からエピタキシャル成長を行いシリコン成長層22を得、成長層22に素子を形成する。【効果】成長層22は、シリコン基板2から絶縁されていると共に、一様な面方位を有している。よって、シリコン基板2とのPN接合による静電容量がなく高速動作が可能である。また、面方位が一様であるから、製造工程における制御が容易である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の上に酸化絶縁層を形成する絶縁層形成ステップ、酸化絶縁層に種結晶成長用の開口を設ける開口形成ステップ、酸化絶縁層をマスクとして、前記開口にシリコン種結晶層を形成し、該シリコン種結晶層が前記開口から突出してラテラル成長により横方向へ延びるまで成長させる種結晶成長ステップ、シリコン種結晶層の表面に、当該シリコン種結晶層の酸化速度に比べて十分に遅い酸化速度のバリア層を前記開口に対応する部分を除いて形成するバリア形成ステップ、バリア層を形成しなかった部分からシリコン種結晶層を酸化し、結晶成長に必要なシリコン種結晶層を残しつつ酸化領域を前記開口を閉塞するまで拡げ、シリコン種結晶層とシリコン基板との接続を断つ選択酸化ステップ、バリア層を除去してシリコン種結晶層を露出するバリア除去ステップ、シリコン種結晶層に基づいてシリコン成長層を結晶成長させるシリコン成長ステップ、シリコン成長層に半導体素子を形成する素子形成ステップを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
