特許

J-GLOBAL ID：200903097787893286

静電放電保護構成体

発明者： ウィリアム エイ. ビショップ ,  メーディ ザマニアン ,  チィウ シー. チャン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259394
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 静雷放雷保護回路を集積回路内において実現するための構成体を提供する。【構成】 保護回路は、トリガ用装置として作用するダイオード11及び横方向バイポーラトランジスタ13を有している。横方向バイポーラトランジスタは、第一拡散領域を使用しており、該領域に対して、外部端子がコレクタ領域として接続されており、該拡散領域から第一フィールド酸化物構成体と反対側の第二拡散領域がエミッタとして接続されており、且つ基板乃至はエピタキシャル層がベースとして接続されている。ダイオード11が接合ブレークダウンを発生すると、横方向トランジスタ13のベース・エミッタ接合が順方向バイアスされそのトランジスタはターンオンされる。それにより内部回路23が保護される。

請求項（抜粋）：

集積回路用のESD保護回路において、第一及び第二端子が設けられており、前記第一端子は前記集積回路外部から外部的に信号を通信し、第一導電型にドープされており且つ前記第一端子に接続されている本体の半導体表面における第一ドープ領域が設けられており、前記半導体表面は第二導電型であり、前記表面に第一絶縁性構成体が設けられており、前記第一絶縁性構成体は前記第一ドープ領域の外側端部を画定しており、その下側の前記表面の一部は第二導電型であり、前記表面において且つ前記第一絶縁性構成体を取囲んで第二ドープ領域が設けられており、前記第二ドープ領域は第一導電型であり且つ前記第二端子に結合されており、前記表面において且つ前記第二ドープ領域を取囲んで第二絶縁性構成体が設けられており、前記第二ドープ領域の周囲回りの前記第二絶縁性構成体の長さの実質的な部分がそれを横断して実質的に一様な距離を有しており、前記表面において且つ前記第二絶縁性構成体を取囲んで第三ドープ領域が設けられており、前記第三ドープ領域は第二導電型であり且つ前記第二端子へ結合されていることを特徴とする回路。