特許

J-GLOBAL ID：200903097795472575

単結晶引き上げ方法および原料結晶

発明者： 木村 雅規 ,  飯田 誠
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012494
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】【課題】 結晶引き上げ炉内の断熱構造を変更することなく、少ないヒータパワーにより大チャージ量の原料結晶を短時間に溶融することができる単結晶引き上げ方法を提供する。【解決手段】 少なくとも原料結晶を充填する坩堝と該坩堝を囲繞するヒータを備えた半導体結晶製造装置を使用するチョクラルスキー法によって半導体単結晶を成長させる際に使われる、前記原料結晶として表面の輻射率が内部よりも大きくなるように表面処理が施された原料結晶及び前記原料結晶を用いることを特徴とする単結晶引き上げ方法である。融け残っている固体状態の結晶塊の融液から露出した部分の面積を減らすように前記融け残った結晶を前記融液中に沈み込ませながら溶融を行うことを特徴とする単結晶引き上げ方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法による半導体単結晶を成長するために用いられる原料結晶であって、前記原料結晶において表面の輻射率が内部よりも高くなるように表面処理されていることを特徴とする原料結晶。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 A ,  H01L 21/208 P

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077EC02 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053AA22 ,  5F053BB04 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR05