特許
J-GLOBAL ID：200903097800427672
力学量センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211197
公開番号（公開出願番号）：特開平8-075779
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 ガラスを陽極接合して密閉空間としたエアダンピング構成とするとともに、ガラスを陽極接合する時に上記PNジャンクション特性が劣化しないようにする。【構成】 ピエゾ抵抗式加速度センサにおいて、加速度に応じて変位するおもり1aの変位をピエゾ抵抗素子3にて検出し、このピエゾ抵抗素子3からの信号をp+ 拡散層4により取り出すようにしている。また、ガラス6、7を半導体基板1、2に陽極接合してエアダンピングを行うようにしている。この陽極接合時に、n型層2とp+ 拡散層4の接合部に高電圧が印加されてp+ 拡散層4のPNジャンクション特性が劣化するのを防ぐため、p+ 拡散層4の上にn+ 型拡散層12を設け、n型層2からn+ 型拡散層12を介してガラスに陽極接合用の電流を流すようにしている。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の面側が第1導電型の半導体で構成された半導体基板と、この半導体基板に形成され、力学的作用を検出するセンサ部と、前記第1導電型の半導体表面に形成され、前記センサ部からの信号取り出しを行う第2導電型の拡散層とを備え、前記センサ部の上部にエアギャップを形成するガラスを前記半導体基板に陽極接合して、気密なエアギャップ空間によりエアダンピングを行うようにした力学量センサであって、前記第2導電型の拡散層上部の前記ガラスが接合される領域を覆って、前記第2導電型の拡散層および前記第1導電型の半導体の表面に第1導電型の拡散層を形成したことを特徴とする力学量センサ。
IPC (2件)：
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