特許
J-GLOBAL ID：200903097811445591
化学気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214115
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066139
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 コールドウォール方式で枚葉タイプのCVD装置において、反応ガスの未分解生成物による膜質への悪影響を防止して、良質な膜形成が可能な装置を提供する。【構成】 ヒーター10を備えたガス供給チャンバ9をCVD装置に具備して、反応ガスを予め加熱してから反応チャンバ5に供給することにより、反応ガスの加熱分解を促進させる。
請求項（抜粋）：
原料の反応ガスを反応室へ供給して、加熱された被処理基板上に薄膜を形成する化学気相成長装置において、反応ガスを、予め加熱してから反応室へ供給するように、ヒーターを備えた供給チャンバを具備することを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
