特許
J-GLOBAL ID：200903097812358382
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-097153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293466
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 走査による寸法精度を向上させるとともに、大面積基板全面にわたって、均一で良質の半導体薄膜を得る。【構成】 トレー11上の照射基板12の非単結晶半導体膜に高出力のレーザ光Cを連続的に照射して、この薄膜の結晶粒径拡大または単結晶化を図るとともに、レーザアニール装置において、レーザ光Cと同時に基板面積よりも大きく、レーザ光Cの照射時間よりも長く、レーザ光Cの照射エネルギー密度よりも低い強光Bを強光ユニット13から照射し、非単結晶半導体膜の熔融再結晶化で結晶成長させることにより、均一な物性で良質の結晶性を有する半導体薄膜結晶層を得る。また、照射基板12全体の加熱を強光Bにより行うため、レーザアニール装置のトレー走査機構には、従来のように加熱機構を持たせる必要がなく、走査機構のみ持たせれば良いので、走査による高い寸法精度が可能となる。
請求項（抜粋）：
非単結晶半導体膜をレーザ光によりアニールして多結晶化する半導体薄膜の製造方法において、該非単結晶半導体膜全体に強光を照射して加熱する加熱工程と、該加熱工程の後、該非単結晶半導体膜上に該強光と同時に、強光照射領域中に該レーザ光を照射し、該非単結晶半導体膜の多結晶化を行う多結晶化工程とを有する半導体薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
