特許

J-GLOBAL ID：200903097815625551

イメージセンサの製造方法

発明者： フアン,ジューン
出願人/特許権者： 東部亞南半導體株式會社
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-370755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066858
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】金属パッドの開放部を形成した後、後工程で金属パッドを保護して、金属パッドの接触抵抗を減少させ、更に収率を向上させることができるCMOSイメージセンサと同様なイメージセンサの製造方法。【解決手段】アクティブ領域とパッド領域とに区分される基板上のパッド領域に金属パッドを形成し、、金属パッドを含む基板の全面に保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去して金属パッドを開放する。その後、基板の全面にバリヤ層を形成し、アクティブ領域のバリヤ層上にR、G、Bカラーフィルタ層を形成して、各カラーフィルタ層の上側にマイクロレンズを形成するとともに、パッド領域のバリヤ層を除去する。【選択図】図4c

請求項（抜粋）：

アクティブ領域とパッド領域とに区分される基板上のパッド領域に金属パッドを形成する段階と、 前記金属パッドを含む基板の全面に保護膜を形成し、前記保護膜を選択的に除去して前記金属パッドを少なくとも部分的に開放する段階と、 前記開放された金属パッドを含む前記基板の全面にバリヤ層を所定厚さで形成する段階と、 前記アクティブ領域の前記バリヤ層の上にR、G、Bカラーフィルタ層を形成する段階と、 前記各カラーフィルタ層の上側にマイクロレンズを形成する段階と、 前記パッド領域のバリヤ層を除去する段階とを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 V ,  H01L27/14 D

Fターム (18件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118EA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CY47 ,  5C024EX23 ,  5C024EX25 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GX02 ,  5C024GY31