特許
J-GLOBAL ID：200903097828179275
化合物半導体の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201761
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【構成】 化合物半導体のAl源としてトリメチルアルミニウム、Ga源としてトリメチルガリウム又はトリエチルガリウム、As源としてトリメチルひ素、アルシン又はターシャルブチルアルシンを用い、基板温度を 600〜640 °CとしてV族原料ガス流量(vV )と III族原料ガス流量(vIII )との比(vV /vIII)を1より大きくする期間と、該比(vV /vIII )を1より小さくする期間もしくはV族原料ガスを導入しない期間とを周期的に繰り返すことによりカーボン濃度を1×1017〜1×1020cm-3とすることを特徴とする化合物半導体の成長方法。【効果】 本発明によれば、高温でカーボンドープAlx Ga1-x As化合物半導体結晶の成長が実施できるので酸素の取り込みの小さい結晶の成長が可能であって結晶特性が良好であり、さらにカーボンの取り込み量やAl組成の制御が容易になる等顕著な効果を奏する。
請求項（抜粋）：
Al源及びGa源を含んだ III族原料ガスとAs源を含んだV族原料ガスとを反応炉内に導入して有機金属気相成長法により化合物半導体基板上にAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)からなる化合物半導体を成長する方法において、前記Al源としてトリメチルアルミニウム(Al(CH<SB>3 </SB>)<SB>3 </SB>)、前記Ga源としてトリメチルガリウム(Ga(CH<SB>3 </SB>)<SB>3 </SB>)又はトリエチルガリウム(Ga(C<SB>2 </SB>H<SB>5 </SB>)<SB>3 </SB>)、前記As源としてアルシン(AsH<SB>3 </SB>)又はターシャルブチルアルシン((CH<SB>3 </SB>)<SB>3 </SB>CAsH<SB>2 </SB>)を用い、前記基板の温度を 600〜640 °CとしてV族原料ガス流量(v<SB>V </SB>)と III族原料ガス流量(v<SB>III </SB>)との比(v<SB>V </SB>/v<SB>III </SB>)を1より大きくする期間と、該比(v<SB>V </SB>/v<SB>III </SB>)を1より小さくする期間とを周期的に繰り返すことによりAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x<1)中のカーボン濃度を1×10<SP>17</SP>〜1×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>とすることを特徴とする化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 29/205
