特許

J-GLOBAL ID：200903097836777564

MOCVD処理用の銅原料液及びその製造方法

発明者： 那須 昭宣 ,  ジャンマルク・ジラルド
出願人/特許権者： レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290239
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105639
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】MOCVD処理用の銅原料液に対する水の添加量の制御性を高めることにより、CVD膜の膜質の再現性を向上させる。【解決手段】銅原料液は、半導体ウエハW上に銅薄膜を形成するためのMOCVD処理方法において使用される。銅原料液は、原料成分と水とからなり、原料成分は90重量%以上のCu(hfac)tmvsを含む。銅原料液における水の割合は10重量%以下に設定される。水中の溶存酸素濃度は、水に対して0.5ppm以下に設定される。水中の溶存酸素濃度を減少させることにより、Cu(hfac)tmvsの分解が抑制される。

請求項（抜粋）：

原料成分と水とからなり、前記原料成分は90重量%以上の下記の化学式(1)で表される物質を含み、(O2 C5 HF6 )Cu・L...(1)(ここで、Lは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結合に関与する有機配位子)前記水中の溶存酸素濃度は、前記水に対して0.5ppm以下に設定されることを特徴とするMOCVD処理用の銅原料液。

IPC (3件)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (7件)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20