特許
J-GLOBAL ID：200903097841202324
液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052206
公開番号（公開出願番号）：特開平6-265936
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 電極の比抵抗が小さく、かつ、誘電体として機能する絶縁膜の比誘電率が高いTFTのゲート絶縁膜部分やキャパシタをうると共に、これらの素子が用いられた高特性の液晶表示装置を提供する。【構成】 TFT2において、ゲート電極5は、ガラスなどの透明な絶縁基板4上に、たとえばタンタル層51とアルミニウム層52とが交互に積層されて形成されている。そして第1のゲート絶縁膜6aは、ゲート電極5の表面のタンタル層51とアルミニウム層52とが陽極酸化されることにより形成される、五酸化タンタル(Ta2 O5 )層61と酸化アルミニウム(Al2 O3 )層62との積層体からなっている。
請求項（抜粋）：
各画素ごとにスイッチング用薄膜トランジスタと補助容量とを有するアクティブマトリックス形液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜および/または前記補助容量の絶縁膜の少なくとも一部が2種類以上の金属膜の酸化物からなる液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
