特許

J-GLOBAL ID：200903097841775049

薄膜エレクトロルミネッセンス材料

発明者： 杉元 晶子 ,  八島 勇 ,  高橋 憲之
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319898
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129254
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 色純度、色座標に優れた高効率な青色蛍光体が得られる薄膜EL材料及び、該材料を発光層とする薄膜EL素子を提供する。【解決手段】 セリウムを添加した硫化ストロンチウムであって、波長420nmにおける反射率をA、波長320nmにおける反射率をBとしたときに、次式:A/B>1.5を満たし、かつ波長1000nmにおける反射率が0.8を超えること、あるいは、波長280nmの光で励起した時と、波長450nmの光で励起した時とで発光スペククトルのピーク位置が10nm以上変化しないこと、の少なくとも一方を満たすことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス材料。また、前記記載の薄膜エレクトロルミネッセンス材料を発光層に用いた薄膜エレクトロルミネッセンス素子。

請求項（抜粋）：

セリウムを添加した硫化ストロンチウムであって、波長420nmにおける反射率をA、波長320nmにおける反射率をBとしたときに、次式:A/B>1.5を満たし、かつ波長1000nmにおける反射率が0.8を超えること、あるいは、波長280nmの光で励起した時と、波長450nmの光で励起した時とで発光スペククトルのピーク位置が10nm以上変化しないこと、の少なくとも一方を満たすことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス材料。

IPC (3件)：

C09K 11/56 CPC ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/18

FI (3件)：

C09K 11/56 CPC ,  H05B 33/14 Z ,  H05B 33/18

Fターム (13件)：

3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA02 ,  3K007DA05 ,  3K007DB01 ,  3K007DC04 ,  3K007EC03 ,  3K007FA03 ,  4H001XA16 ,  4H001XA38 ,  4H001YA58