特許
J-GLOBAL ID：200903097848993530
半導体基板研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260071
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124885
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面を研磨するときに生じる静電気を研磨効果を落とすことなく中和し、半導体基板上に形成された絶縁膜等の静電破壊を防止しうる半導体基板研磨装置を提供する。【構成】 半導体基板の表面を平坦化するための回転テーブルの表面に半導体基板の表面を回転させながら接触させ、研磨剤を注入して前記半導体基板の表面を研磨する半導体基板研磨装置において、前記半導体基板を研磨する際に前記半導体基板に発生する静電気を中和するために、静電気と異符号のイオン化ガスを前記半導体基板に供給するイオン化ガス供給手段を備えるものとして構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面を平坦化するための回転テーブルの表面に半導体基板の表面を回転させながら接触させ、研磨剤を注入して前記半導体基板の表面を研磨する半導体基板研磨装置において、前記半導体基板を研磨する際に前記半導体基板に発生する静電気を中和するために、静電気と異符号のイオン化ガスを前記半導体基板に供給するイオン化ガス供給手段を備えることを特徴とする半導体基板研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
