特許
J-GLOBAL ID：200903097852506538
半導体素子の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259309
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 成形品の型離れが良く、メッキ層が剥離しにくく、金型の寿命が長い半導体素子の製造装置を提供することにある。【構成】 コア1,2と、このコア1,2で形成されるキャビティ3と、このキャビティ3に臨むように一方のコア1に装備され、前記キャビティに面する端面4にレンズ成形型が刻設されたエジェクターピン5とを備え、前記キャビティ3内に装填された半導体チップ11を透明樹脂によって封止,成形する半導体素子の製造装置において、前記エジェクターピン5の端面4に刻設されたレンズ成形型の表面に、イオン注入層を形成したことを特徴とする半導体素子の製造装置。
請求項（抜粋）：
分割金型と、この分割金型で形成されるキャビティと、このキャビティに臨むように一方の金型に装備され、前記キャビティに面する端面にレンズ成形型が刻設されたエジェクターピンとを備え、前記キャビティ内に装填された半導体チップを透明樹脂によって封止,成形する半導体素子の製造装置において、前記エジェクターピンの端面に刻設されたレンズ成形型の表面に、イオン注入層を形成したことを特徴とする半導体素子の製造装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 33/00
