特許

J-GLOBAL ID：200903097855754427

薄膜コンデンサ

発明者： 久和 俊一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256291
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075782
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】上部電極層からハンダバンプへのAuの拡散を防止することができる薄膜コンデンサを簡単かつ安価な方法で提供する。【解決手段】基板1上に形成された下部電極層2と、該下部電極層2上に形成された誘電体薄膜3と、該誘電体薄膜3上に形成されたAuからなる上部電極層4と、該上部電極層4上に形成されたNi、Ni-Cu合金、Ni-Cr合金、表面をNiメッキしたTiのいずれかからなる拡散防止層5と、該拡散防止層5上に形成されたハンダバンプ7からなるものである。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成されたAuからなる上部電極層と、該上部電極層上に形成されたNi、Ni-Cu合金、Ni-Cr合金、表面をNiメッキしたTiのいずれかからなる拡散防止層と、該拡散防止層上に形成されたハンダバンプからなることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (5件)：

H01G 4/33 ,  H01G 4/252 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 1/14 V ,  H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 27/04 C

Fターム (29件)：

5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC33 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082HH25 ,  5E082HH43 ,  5E082HH47 ,  5E082JJ07 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ27 ,  5E082KK01 ,  5F038AC05 ,  5F038AC14 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20