情報記録用薄膜およびその製造方法、ならびに情報記録媒体およびその使用方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有近紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267886
公開番号（公開出願番号）：特開平8-127176
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】良好な記録・再生特性を保持しながら従来より多数回の書き換えを可能にする。【構成】 Ge-Sb-Te系の相変化型の記録膜3に、Cr,Ag,Ba,Co,Ni,Pt,Si,Sr,Au,Cd,Cu,Li,Mo,Mn,Zn,Al,Fe,Pb,Na,Cs,Ga,Pd,Bi,Sn,Ti,V,Inおよびランタノイド元素からなる群から選ばれた少なくとも一つの元素Xを添加する。記録膜3中に、相変化成分3aよりも高融点成分3b(元素Xを含む)が析出し、記録・消去時の記録膜3の流動・偏析を防止する。【効果】良好な記録・再生特性を保持しながら105回を越える多数回の書き換えが可能になる。

請求項（抜粋）：

基板上に直接または保護層を介して形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式(GeaSbbTec)1-dXdで表わされ、前記XはCr,Ag,Ba,Co,Ni,Pt,Si,Sr,Au,Cd,Cu,Li,Mo,Mn,Zn,Al,Fe,Pb,Na,Cs,Ga,Pd,Bi,Sn,Ti,V,In,W,Znおよびランタノイド元素からなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を表わし、前記a,b,cおよびdは、それぞれ0.01≦a≦0.67, 0.01≦b≦0.59,0.25≦c≦0.97, 0.03≦d≦0.3,の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。

IPC (3件)：

B41M 5/26 , G11B 7/24 511 , G11B 7/26

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-180387
特開平1-211249
特開平2-062736

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