特許
J-GLOBAL ID：200903097859069281
ダイヤフラム型弁
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-300149
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、少なくとも使用流体の接触部表面の温度が比較的低温時においても、該使用流体の分解作用等に対する触媒活性化の後退を実現できる等としたダイヤフラム型弁を提供することを目的とする。【構成】 金属製の基材から成る弁本体2及びダイヤフラム3を有するダイヤフラム型弁において、弁本体2及びダイヤフラム3の基材の最表面に、当該使用流体の分解作用に対する触媒活性序列が、少なくとも前記基材に比べて下位の材料から成る薄膜層2A、コーティング層3Aを夫々形成する。【効果】 基材に比べて触媒活性序列が下位である薄膜層やコーティング層が形成されているので、該使用流体、例えばシランガスが接触した場合、該シランガスの分解反応は、該薄膜層やコーティング層が形成されてない場合に比べて、十分に後退したものとなる。
請求項（抜粋）：
金属製の基材から成る弁本体及びダイヤフラムを有するダイヤフラム型弁において、少なくとも前記弁本体及びダイヤフラムの基材の最表面に、当該使用流体の分解作用に対する触媒活性序列が、少なくとも前記基材に比べて下位の材料から成るコーティング層を形成したことを特徴とするダイヤフラム型弁。
IPC (2件)：
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