特許

J-GLOBAL ID：200903097865048792

GaN蛍光体

発明者： 佐藤 義孝 ,  須田 順子 ,  片岡 文昭 ,  土岐 均
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131500
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319653
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【目的】電子線の励起により実用上十分な輝度で発光するGaN 系蛍光体を提供する。【構成】GaN 蛍光体母体に、アクセプターとドナーを両方添加し、過剰なホールの存在を電界補償で解消し、窒素欠陥生成を抑制して母体の結晶性悪化を抑制する。GaN に対してアクセプター又はドナー不純物になる条件は、6配位であり、母体元素であるGa又はNのイオン半径に近いことである。アクセプターは2族元素(Mg3+,Zn2+ ) 、ドナーは4族又は6族(Si4+,Ge4+ ,Sn4+ ,S2-,O2-) である。Ga2S3 を20gと、MgS を0.4gと、SiO2を0.003g、混合して焼成ボートに載せ、アンモニア中で1150°Cで2時間焼成してGaN:Mg,Si 蛍光体を得た。2kV の電子線で励起すると青色に発光した。Si濃度を0.2mol% に固定すると、Mg濃度が0.002〜0.2mol% であると最大値の50% 以上の相対輝度となる。Mg(アクセプター)濃度に対してSi(ドナー)濃度が高い方が輝度が高い。

請求項（抜粋）：

Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A,B(0≦x<1)で表され、Aは、Zn,Mgから選ばれた少なくとも1つの元素であり、Bは、Sn、S、O、Si、Geから選ばれた少なくとも1つの元素である蛍光体において、前記Aは、0.002から0.2mol%の範囲にあり、前記Bは、0.003から0.3mol%の範囲にあり、前記Aと前記Bの比が、B/A>1であることを特徴とするGaN蛍光体。

Fターム (12件)：

4H001CA04 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA05 ,  4H001YA08 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA16 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32 ,  4H001YA50