特許

J-GLOBAL ID：200903097865667247

半導体装置の製造方法

発明者： 保田 広安
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221009
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064553
出願日： 1994年08月23日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 不純物拡散層の寄生抵抗及び接合リーク電流の増加を抑制しつつシリサイド層を形成する。【構成】 シリコン基板1上にシリコン膜7を形成してからチタン膜8を成膜し、ホウ素9イオンを注入する。しかる後、熱処理を施してシリコン基板1上にシリサイド層10を形成するとともに、不純物拡散層11を形成する。【効果】 熱処理により接合深さの浅い不純物拡散層11を簡単に形成することができるとともに、チタンと反応してシリサイド層10となるシリコン膜7をシリコン基板1上に予め形成しておくのでシリサイド層10がシリコン基板1中に形成されない。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にシリコン膜を形成する工程と、上記シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、しかる後、熱処理を施して上記シリコン基板上にシリサイド層を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 G