特許
J-GLOBAL ID：200903097866367360
分極反転構造の形成方法並びにそれを利用した波長変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242278
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066652
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 電界印加により強誘電体中に分極反転構造を形成する方法において、電界印加時の結晶破壊を防止しながら高アスペクト比を有する厚い分極反転構造の形成を可能にする、分極反転構造の形成方法を提供する。【解決手段】 分極反転構造の形成方法が、対向する第1及び第2の主面を有し且つ該第1及び第2の主面にほぼ平行な方向に単一分極化された強誘電体結晶基板の、該第1の主面に第1の電極を形成する、第1電極形成工程と、該強誘電体結晶基板の該第2の主面に第2の電極を形成する、第2電極形成工程と、該第1及び第2の電極に接続された電界印加手段を用いて、該第1及び第2の電極を介して該強誘電体結晶基板にパルス電界を2回以上にわたって印加して、該強誘電体結晶基板の内部に分極反転構造を形成する分極反転形成工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
対向する第1及び第2の主面を有し且つ該第1及び第2の主面にほぼ平行な方向に単一分極化された強誘電体結晶基板の、該第1の主面に第1の電極を形成する、第1電極形成工程と、該強誘電体結晶基板の該第2の主面に第2の電極を形成する、第2電極形成工程と、該第1及び第2の電極に接続された電界印加手段を用いて、該第1及び第2の電極を介して該強誘電体結晶基板にパルス電界を2回以上にわたって印加して、該強誘電体結晶基板の内部に分極反転構造を形成する分極反転形成工程と、を含む、分極反転構造の形成方法。
Fターム (4件)：
2K002AB12
, 2K002CA03
, 2K002FA27
, 2K002HA20
