特許

J-GLOBAL ID：200903097870320646

薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： 湯田坂 一夫
出願人/特許権者： 株式会社高度映像技術研究所
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073261
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283415
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性に優れかつ該特性の均一性のよい薄膜トランジスタを製造するための方法および該方法によって製造される薄膜トランジスタを提供する。【構成】 薄膜トランジスタ製造方法は、絶縁基板ないし絶縁膜上に、第1の多結晶シリコン膜を島状に形成する工程と、該多結晶シリコン膜及び上記絶縁基板ないし絶縁膜上の全面に非晶質シリコン膜を堆積する工程と、該堆積された非晶質シリコン膜にエネルギ光を照射し、該非晶質シリコンを第2の多結晶シリコン膜に変換する工程と、2つの上記島状の第1の多結晶シリコンの間隔が5μm以下の領域の第2の多結晶シリコン膜上にチャネル領域を有する薄膜トランジスタを形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタの製造方法において、絶縁基板ないし絶縁膜上に、第1の多結晶シリコン膜を島状に形成する工程と、該多結晶シリコン膜上及び前記絶縁基板ないし絶縁膜上の全面に非晶質シリコン膜を堆積する工程と、該堆積された非晶質シリコン膜にエネルギ光を照射し、該非晶質シリコンを第2の多結晶シリコン膜に変換する工程と、2つの前記島状の第1の多結晶シリコンの間隔が5μm以下の領域の該第2の多結晶シリコン膜にチャネル領域を有する薄膜トランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-246120
  
• 特開平2-184076
  
• 特開平4-299535
  
• 特開平4-120738