特許

J-GLOBAL ID：200903097874922071

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高瀬 利貴雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170292
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021797
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ダブルゲートMOSFETの改良に関し、製造工程の複雑化を招くことなしに, 高集積化に適した, しかもトランジスタ特性を制御することが可能な, ダブルゲートMOSFET集積回路及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 材料の異なる表面のゲート(FG)電極13,14と背面のゲート(BG)電極11,12を有するダブルゲートMOSFET及び, それらより成るCMOSFET 集積回路, 並びにそれらの製造方法より構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面と背面の両面にゲート電極を持つダブルゲートMOSFETにおいて,材料の異なる表面ゲート(FG)電極と背面ゲート(BG)電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 27/08 321 D