特許

J-GLOBAL ID：200903097878253832

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 井原 卓郎
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215638
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055615
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】CuXSe2 ( XはIn, GaあるいはAl)をセレン化法で成膜するのに有毒なSeH2 を用いないで均一なセレン化を行う方法、および太陽電池の特性改善のためのアニールを低温で行う方法を提供する。【構成】基板21上にCuおよびX元素からなる膜を形成したのち反応室に収容し、反応室内にセレン蒸気存在下で水素プラズマを発生させることによりセレン化を行う。また基板上にp型のCuXSe2 膜23とn型のCdS等の膜24を積層したのち、反応室内に収容し、反応室内にセレン蒸気存在下で水素プラズマを発生させることにより、CuXSe2 膜の結晶粒界におけるX元素の未結合手をターミネイトして特性を改善する。

請求項（抜粋）：

CuXSe2 なる分子式を有し、Xがインジウム, ガリウムあるいはアルミニウムであるカルコパイライト系化合物の薄膜を光電変換層とする半導体接合を有する薄膜太陽電池の製造方法において、一面上に銅およびX元素からなる膜を形成した基板を反応室に収容し、その基板を所定の温度に保持して反応室内にセレン蒸気および水素ガスを含む減圧雰囲気内でプラズマグロー放電を発生させることによりカルコパイライト系化合物薄膜を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/363