特許
J-GLOBAL ID：200903097878323580

レジストパターンの形成方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者：
豊田 直之

豊田 直之 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290658
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064143
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 生産性良くレジストパターンを形成できる方法を提供する。【解決手段】 光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材5上に設けられたレジスト材料を含むレジスト層6と被処理材1とを対向し、基材5の所定領域に光を照射することで、所定領域に応じたレジスト材料を被処理材1に転写し、被処理材1上にレジスト材料をパターニングする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、レジスト材料を含むレジスト層を設け、前記レジスト層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記レジスト材料を前記被処理材に転写し、前記被処理材上にレジスト材料をパターニングすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/34
FI (4件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/004 505 ,  G03F7/11 502 ,  G03F7/34
Fターム (16件)：
2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CC20 ,  2H025DA01 ,  2H025DA29 ,  2H025FA19 ,  2H096AA25 ,  2H096BA16 ,  2H096BA20 ,  2H096CA20 ,  2H096EA04 ,  2H096EA16 ,  2H096GA36 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 印刷方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141976   出願人：大日本インキ化学工業株式会社

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