特許

J-GLOBAL ID：200903097881040025

バンプ電極形成用球状体の転写方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 小日向 健一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141051
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332151
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 多数個のバンプ電極を1つ1つ的確に且つ効率よく転写できる方法を提供すること。【解決手段】 Siウエハ5上に形成したUBM膜7にフラックス8を載せ、ここに金属ボール11を転写し、リフローしてバンプ13を形成する工程において、金属ボール11の転写にガイドマスク10を用いる。このガイドマスク10は金属ボール11の直径rとほぼ同じ厚みRを有し、且つ金属ボール11の1個分が落ち込める開口9を有する。

請求項（抜粋）：

バンプ電極形成用の球状体の径とほぼ同じ厚みを有し、対応する前記球状体を落とし込むための開口を有するマスクを被転写体上に配置する工程と、前記マスク上に前記球状体を載せる工程と、前記マスクから前記開口ごとに前記球状体を落とし込む工程と、余分な球状体を前記マスク上から除去する工程とを具備する、バンプ電極形成用球状体の転写方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/34 505

FI (5件)：

H01L 23/12 L ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/92 604 F

Fターム (3件)：

5E319BB04 ,  5E319CD22 ,  5E319CD25