特許
J-GLOBAL ID:200903097881607610

磁気抵抗効果素子及び磁気リニア測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富澤 孝 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-283764
公開番号(公開出願番号):特開平11-118411
出願日: 1997年10月16日
公開日(公表日): 1999年04月30日
要約:
【要約】【課題】 比例出力領域を広範囲に得ることができる簡易な構成のMR素子及び磁気リニア測定装置を提供すること。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子1は、強磁性体金属の蒸着薄膜によって基板上に形成した磁気抵抗効果を奏する一対の抵抗パターンR1,R2を直列に接続し、その抵抗パターンR1,R2を同一列上に配置して形成したものであって、同一列方向に検知磁石Mが移動した場合に各抵抗パターンR1,R2の最も低い抵抗値を示す該抵抗パターンR1,R2上の基準位置r1,r2同士の距離が、検知磁石幅Wの0.5倍乃至3.0倍である。
請求項(抜粋):
強磁性体金属の蒸着薄膜によって基板上に形成した磁気抵抗効果を奏する一対の抵抗パターンを直列に接続し、その抵抗パターンを同一列上に配置して形成した磁気抵抗効果素子において、前記同一列方向に検知磁石が移動した場合に前記各抵抗パターンの最も低い抵抗値を示す該抵抗パターン上の基準位置同士の距離が、前記検知磁石幅の0.5倍乃至3.0倍であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件):
G01B 7/00 ,  G01D 5/245 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08
FI (4件):
G01B 7/00 J ,  G01D 5/245 R ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

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