半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094439
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【構成】本発明による半導体装置とその製造方法は、マスク材料13を半導体基板11表面に対して端部がテ-パ形状を有するように選択的にパタ-ニングして、高加速イオン注入にて注入方向をテ-パ角に揃える形でこのマスク材料13を通してイオン注入し、所望の形状に不純物領域12a、12b及び12cを形成することを特徴とする。【効果】本発明によれば、マスク材料の一回のパターニング及び一回のイオン注入にて、深さの異なる不純物領域の形成を同時に行なうことができるため、不純物濃度のバラツキが抑制されて信頼性が向上すると共に、製造工程を従来に比べ大幅に短縮化することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に形成された不純物領域において、前記不純物領域が深さの異なる二つの不純物層と、この二つの不純物層のそれぞれを連結する深さ方向に傾斜した段差を有する不純物層とからなり、前記不純物領域内の濃度がほぼ均一であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/266 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 M , H01L 21/265 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-306659
特開昭63-144567
特開昭54-157472

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