特許
J-GLOBAL ID:200903097887690366

半導体装置の実装構造とリペア方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-260388
公開番号(公開出願番号):特開平10-107095
出願日: 1996年10月01日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子または半導体装置の実装において、リペアを可能にする構造および方法を提供する。【解決手段】 半導体素子2と半導体キャリア7の間または半導体装置1と回路基板12との間の内少なくとも一方を、200度以上における引っ張りせん断強度が室温における強度の20%以下になる熱硬化性樹脂で封止した構造とし、樹脂11を所定温度の熱風で一定時間加熱する工程と、半導体素子2または半導体装置1を取り外す工程と、半導体キャリア7または回路基板12に残った樹脂11を所定温度に保ちグリコールエーテル系の洗浄剤に浸漬させてかきとることで除去する工程を順次おこなうことにより、リペアを可能とする。
請求項(抜粋):
半導体素子と半導体キャリアの間、または半導体装置と回路基板との間の内少なくとも一方を、200度以上における引っ張りせん断強度が室温における強度の20%以下になる熱硬化性樹脂で封止したことを特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (4件):
H01L 21/60 321 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
H01L 21/60 321 Z ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/56 D ,  H01L 23/30 R

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