特許
J-GLOBAL ID：200903097888996965
磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216456
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【目的】 従来、反強磁性層としてNiMn合金を使用していたが、前記NiMn合金では、耐食性が悪化するといった問題があった。【構成】 反強磁性層4はX′′-Mn(X′′は白金族元素の中から2種以上)で形成され、あるいはX-Mn-X′(Xは白金族元素の中から1種以上、X′は希ガス元素など)で形成されることにより、耐食性を向上でき、しかもより大きな交換異方性磁界を得ることが可能になる。
請求項（抜粋）：
フリー磁性層の上下に積層された非磁性導電層と、一方の前記非磁性導電層の上および他方の非磁性導電層の下に位置する固定磁性層と、一方の前記固定磁性層の上および他方の固定磁性層の下に接して、交換異方性磁界によりそれぞれの固定磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えるバイアス層とを有し、前記反強磁性層は、X′′-Mn(ただしX′′は、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうちいずれか2種以上の元素である)で形成されており、一方の前記固定磁性層の上に位置する前記反強磁性層を形成するX′′-Mn合金のX′′の組成比はat%で、47〜57の範囲内であり、他方の前記固定磁性層の下に位置する反強磁性層を形成するX′′-Mn合金のX′′の組成比はat%で、44〜57の範囲内であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
