特許

J-GLOBAL ID：200903097892484863

シリコンウェーハの鉄濃度測定方法

発明者： 加藤 裕孝 ,  松本 圭 ,  河野 光雄
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068091
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249666
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 欠陥を高密度に発生しているシリコンウェーハの鉄濃度を正確にかつ簡便に測定可能な方法を提供する。【構成】 p型シリコンウェーハにおけるFe-B結合状態の少数キャリアの拡散長Lbと活性化してFeint +Bに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長Laとを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測定方法において、初めに活性化後急冷した状態の拡散長Laを測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Lb1を測定し、これら測定値に基づく値の差よりp型シリコンウェーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求める。また、欠陥層が、無欠陥層をエッチングで除去して露出する欠陥層である。

請求項（抜粋）：

p型シリコンウェーハにおけるFe-B結合状態の少数キャリアの拡散長Lbと活性化してFeint +Bに解離後急冷した状態の少数キャリアの拡散長Laとを表面光起電圧法により測定し、測定値に基づく値の差より鉄濃度を求めるシリコンウェーハの鉄濃度測定方法において、初めに活性化後急冷した状態の拡散長Laを測定し、再結合し、再結合状態の拡散長Lb1を測定し、これら測定値に基づく値の差よりp型シリコンウェーハの高密度な欠陥層の鉄濃度を求めることを特徴とするシリコンウェーハの鉄濃度測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/00