特許

J-GLOBAL ID：200903097896719679

半導体装置およびその製造方法

発明者： 舩越 正司 ,  ▲濱▼谷 毅 ,  水谷 篤人 ,  坂口 茂樹 ,  渡瀬 和美
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-210457
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031722
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の微細化に伴い、その半導体素子を搭載する配線基板に多数の配線電極および配線を形成する必要があるが、配線基板が樹脂やセラミックからなる場合は、配線および配線電極の高密度な形成が困難であるので、サイズの大きい配線基板が必要となり、半導体装置の小型化を実現することは困難となる。【解決手段】 半導体素子を搭載するための配線基板8は、シリコン酸化膜(SiO2)10をシリコン基材9どうしで挟んだ構成であり、シリコン基材9の表面には配線11を高密度に形成することができるので、配線基板8のサイズを小さくすることができ、半導体装置の小型化を実現することが可能となる。

請求項（抜粋）：

配線基板の表面に形成された配線電極と半導体素子の電極とが突起電極により電気的に接続された半導体装置であって、前記配線基板はシリコン基材どうしの間にシリコン酸化膜(SiO2)を挟んでいる構成であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (5件)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/14 S