特許

J-GLOBAL ID：200903097901418100

半導体基板の処理方法

発明者： 長谷川 誠 ,  伊藤 康司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321117
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、配線形成後、マスクを除去する際、配線にフェンスが形成されることを防止できる半導体基板の処理方法を提供する。【構成】ハロゲンを含む単体もしくは混合ガスプラズマによって金属層(13)をフォトレジスト(14)に従ってエッチングした場合、形成された配線(15)及びフォトレジスト(14)の側壁にハロゲン化合物からなる保護膜(16)が形成される。このハロゲン化合物は還元性が非常に強いため、配線(15)上に残ったフォトレジスト(14)を酸素ガスプラズマによって除去しようとした場合安定な酸化物となり、フェンスとして残ってしまう。そこで、配線(15)上に残ったフォトレジスト(14)を除去する以前に、有機溶剤を用いてハロゲン化合物を除去することにより、マスクを除去する際にフェンスが形成されることを防止できる。

請求項（抜粋）：

ハロゲンを含む単体もしくは混合ガスをプラズマとし、このプラズマにより半導体基板上に形成された金属元素を含む層をマスクに従って、エッチングし所要のパターンを形成する工程と、前記半導体基板上のパターン及びマスクの側壁に形成されたハロゲン化合物を有機系溶剤によって除去する工程とを具備することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 Z