特許

J-GLOBAL ID：200903097902155570

MIS型FET装置およびその製造方法

発明者： 安彦 仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014896
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211331
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【構成】MIS型FET装置のしきい値調整にボロンの代りにガリウム、あるいはインジウムを用いる。又、製造方法としてガリウム、あるいはインジウムをイオン注入する。【効果】ガリウム、あるいはインジウムは質量数がボロンよりも大きくしたがって浅い拡散層を実現できる。

請求項（抜粋）：

単結晶けい素基板の一主面に形成されたMIS型FETであって、チャンネル形成領域の前記基板表面付近にピーク濃度が1×1018cm-3以下のガリウムもしくはインジウムを含むことを特徴とするMIS型FET装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 Y