特許

J-GLOBAL ID：200903097907998273

イオン選択性電極およびその製造方法

発明者： 寺嶋 正明 ,  瀬志本 修
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220974
公開番号（公開出願番号）：特開2002-039990
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 製造コストが低減され、製造工程が簡略化されたイオン選択性電極およびその製造方法を提供する。【解決手段】 非導電性支持体、銀層とハロゲン化銀層とからなる互いに電気的に絶縁された電極層、電解質層、およびイオン選択性膜がこの順に積層され、そしてその上に、各電極層に対応して参照液および被検液を付与するための開口部を有する非導電性部材、および両液を電気的に導通させるための架橋部材が備えられたイオン選択性電極において、イオン選択性膜が電極層毎に独立に設けられていることを特徴とするイオン選択性電極、そして、インクジェット印刷方式、スクリーン印刷方式またはグラビア印刷方式によりイオン選択性膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

非導電性支持体、銀層とハロゲン化銀層とからなる互いに電気的に絶縁された少なくとも一対の電極層、電解質層、およびイオン選択性膜がこの順に積層され、そしてその上に、各電極層に対応して参照液および被検液を付与するための開口部を有する非導電性部材、および両液を電気的に導通させるための架橋部材が備えられてなるイオン選択性電極において、該イオン選択性膜が電極層ごとに独立に設けられていることを特徴とするイオン選択性電極。

IPC (3件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416 ,  C02F 1/00

FI (4件)：

C02F 1/00 V ,  G01N 27/30 301 U ,  G01N 27/30 301 W ,  G01N 27/46 346