特許
J-GLOBAL ID：200903097911822333
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163585
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031938
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体基板上にトランジスタ回路素子形成後、絶縁膜による平坦化に係わり、特にバルク素子部形成によって生ずる段差を緩和するために低温で平坦化を行い、且つ、長寿命で信頼性の高い半導体装置および製造方法に関し、バルク素子部形成後の絶縁膜による平坦化に対して、リフローなる熱処理が従来の約900°Cから850°C以下の低温になっても、充分に平坦な絶縁膜を形成する。【構成】 回路素子が形成された半導体基板上にプラズマ酸化膜、常圧オゾン-TEOS酸化膜、オゾン-TEOS-BPSG膜を順次積層して絶縁膜を形成する工程と、積層された絶縁膜をリフロー熱処理する工程と、絶縁膜上に配線形成を行なう工程とを含む。
請求項（抜粋）：
回路素子が形成された半導体基板上に、プラズマ酸化膜と、O3 -TEOS酸化膜と、O3 -TEOS-BPSG膜とを順次積層して絶縁膜を形成する工程と、該積層された絶縁膜をリフロー熱処理する工程と、該絶縁膜上に配線形成を行なう工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
